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SICK传感器是硅-蓝宝石薄膜压力传感器，代表生产厂商有俄罗斯工业集团，其测量介质温度范围为-65℃～150℃，传感器补偿工作温度为-40℃～80℃。其他目前正在研究的有SiC高温压力传感器以及SOI材料制作的高温压力传感器，但工艺尚不成熟。美国公司生产一种半导体高温压力传感器，工作温度可达300℃，但是需要通水冷却。 SICK传感器技术研究虽然相对国外比较滞后，目前只有少数厂家正在研制高温传感器，但大多数产品的工作环境温度为-40℃～125℃，介质工作温度-50℃～150℃，目前的制造工艺还不太成熟。 SICK传感器的性能指标要求，高温薄膜压力变送器分为两部分：敏感元件部分（图31）信号处理电路部分。基本路线是在泽天电子现有的技术基础上，重点解决弹性材料和封装材料的耐高温问题，重点研究制造性能稳定、耐高温的多层复合薄膜，设计抗强电磁干扰的电路。

采用离子束溅射镀膜技术将绝缘膜和合金电阻材料镀在高温性能好的金属弹性体上，经过光刻腐蚀制成栅条应变电阻，使被测压力转化成弹性体的形变，进而引起合金薄膜应变电阻的阻值变化，通过组成惠斯登电桥获得与压力成一定比例关系的电信号。 

高温薄膜淀积工艺研究

实现高精度测量的桥式薄膜温度压力集成传感器，薄膜的性能质量是关键。对组成传感器的各种功能膜的质量要求主要有以下几点：

a. 同种电阻材料的温度系数一致、稳定；

b. 同种电阻材料的电阻率一致、稳定；

c. 绝缘膜的绝缘性能好，大于1000MΩ/100VDC；

d. 保护膜致密，能防电阻受潮与氧化，抗腐蚀性强；

e. 引线焊盘的膜层可焊性好。

膜层的性能与成膜工艺过程有关。镀膜的方式、镀膜的溅射能量、成膜时间等都将影响所镀膜层的质量。要获得高性能的薄膜，就必须对成膜的工艺进行研究，找出适合的工艺参数。

在桥式薄膜温度压力传感器中，共设计了绝缘膜、铂热电阻膜、合金电阻膜、保护膜、引线膜五种。要制造好薄膜传感器，就必须对主要的功能膜的工艺一一进行研究。

为了获得优良的绝缘性能，设计SICK传感器的绝缘层采用双层绝缘膜形式，即先在基底材料上镀一层绝缘膜，再在其上溅射不同材料的绝缘膜。增强弹性元件衬底之间的粘附，提高绝缘与耐压，从而保证获得大于1000MΩ/100VDC的绝缘膜。

SICK传感器质量要求主要